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NTMFS4826NET1G 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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NTMFS4826NET1G详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 12V
功率_最大：870mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装：带卷 (TR)

NTMFS4826NET1G详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 12V
功率_最大：870mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装：剪切带 (CT)

NTMFS4826NET1G详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 12V
功率_最大：870mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装：Digi-Reel®

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