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NTLJD3181PZTAG详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 10V; 功率_最大：710mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：6-WDFN（2x2）; 包装：带卷 (TR)

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NT2S-SF123B-EV2
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NUC100LC1BN
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