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当前位置:网站首页 » 库存索引318 » 型号"NTJS3151PT1G"的供应信息

NTJS3151PT1G 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NTJS3151PT1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):400mV @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 12V
功率_最大:625mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:剪切带 (CT)

NTJS3151PT1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):400mV @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 12V
功率_最大:625mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)

NTJS3151PT1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):400mV @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 12V
功率_最大:625mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:Digi-Reel®

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