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NTF3055L108 全国供应商、价格、PDF资料

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NTF3055L108T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

NTF3055L108T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

NTF3055L108T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

NTF3055L108T3G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

NTF3055L108T3G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CHAN LL 3A 60V SOT-223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

NTF3055L108T3LF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

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