NTF3055L108 全国供应商、价格、PDF资料
NTF3055L108T1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
NTF3055L108T1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
NTF3055L108T1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
NTF3055L108T3G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
NTF3055L108T3G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN LL 3A 60V SOT-223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
NTF3055L108T3LF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLOCK GENERATOR 8-SOIC
- 旋钮 Kilo International KNOB BLK GLOSS.625"DIA 6MM SHAFT
- 振荡器 NDK 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATOR 7.600000 MHZ 3V SMD
- FET - 单 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 塑模盘 TERMINAL INTERFACE
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOT-563,SOT-666 SOFTWARE CD-ROM V4.2
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 2.2UH 5% 1812
- 振荡器 RFM 8-SMD IC OPT TIME CLK 719.734MHZ 8-SMC
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLOCK GENERATOR 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 塑模盘 TERMINAL PROGRAMMABLE 3 COLOR
- 嵌入式 - 微控制器, Nuvoton Technology Corporation of America 64-LQFP IC MICROCONTROLLER
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-923 DIODE ZENER 10V 200MW SOD923
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 2.7UH 5% 1812
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLOCK GENERATOR 8-SOIC
- 旋钮 Kilo International KNOB CLR GLOSS.925"DIA 6MM SHAFT