NTD65N03R详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
NTD65N03R-001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD65N03R-035详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD65N03R-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD65N03RG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
NTD65N03RT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET PWR SGL N-CH 28V 8SOIC
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 28-SOIC(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 IC LED DRIVER LINEAR 28-TSSOP
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 25V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 30.1K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 1UF 50V 10% AXIAL
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 316K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 35V 10% RADIAL
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 6.3V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 316 OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 1.5UF 25V 10% AXIAL