NTD5867NL-1G 全国供应商、价格、PDF资料
NTD5867NL-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:36W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 301K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 16V 10% RADIAL
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 2.2UF 15V 10% AXIAL
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM DPAK
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 309 OHM 1/2W 0.1% 2512
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 3.3UF 6V 10% AXIAL
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 16V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 30K OHM 1/2W 1% 2512
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短截引线,IPak MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK