NTD5862N-1G 全国供应商、价格、PDF资料
NTD5862N-1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫欧 @ 45A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：82nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V
- 功率_最大：96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
- 配件 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 带状，C 形弯曲 BRACKET FOR OVAL CAPACITOR
- 光纤 Richco Plastic Co 16-SMD（13 个垫片），无引线（DFN，LCC） DUPLEXER OPT FIBER BLACK
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC FREQ TIMING GENERATOR 48TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 330UH 0.28A SMD
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8KX18 LP 15NS 64QFP
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向，CAN CAP ALUM 5UF 150V AXIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 12.5MHZ 8SOIC
- 配件 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 带状，C 形弯曲 BRACKET FOR OVAL CAPACITOR
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） IC FREQ TIMING GENERATOR 48SSOP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 ON Semiconductor 6-XFLGA IC GATE CONFIG MULTIFUNC 6-ULLGA
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8KX18 LP 20NS 64QFP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 2.6A SMD
- 配件 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 带状，C 形弯曲 BRACKET FOR OVAL CAPACITOR
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ SOT23-5
0755-82710336 
0755-22929859 
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
075584505750 
0755-/8321846 
755-83252273 
010-62962871、 
13910052844（微 
+0755-8323341 
010-62962871、 
13910052844（微 
0755-82865294 
