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NTD3055-150 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NTD3055-150-1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件

NTD3055-150G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

NTD3055-150T4详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

NTD3055-150T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

NTD3055-150T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

NTD3055-150T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

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