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当前位置:网站首页 » 库存索引249 » 型号"NTD25P03L"的供应信息

NTD25P03L 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NTD25P03L1详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件

NTD25P03L1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件

NTD25P03LG详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

NTD25P03LRLG详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

NTD25P03LT4详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

NTD25P03LT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
功率_最大:75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

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