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NTD14N03RT4 全国供应商、价格、PDF资料

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NTD14N03RT4详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 20V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

NTD14N03RT4详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 20V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

NTD14N03RT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 20V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

NTD14N03RT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 20V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

NTD14N03RT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 20V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

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