NTD12N10T4 全国供应商、价格、PDF资料
NTD12N10T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
NTD12N10T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
NTD12N10T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
NTD12N10T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
NTD12N10T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
NTD12N10T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
- 功率_最大:1.28W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDACTOR 4CHP 58/116V 150A MS013
- RF 开关 NJR 16-FFP IC MMIC SWITCH DPDT FFP16
- 配件 Texas Instruments 模块 ADAPTER DEBUG/ICE MSTR 20-SOIC
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 14-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC OPAMP QUAD SNGL-SUPPLY 14-DMP
- 固定式 TDK Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR POWER 0.47UH 1008
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDACTOR 4CHP 58/116V 100A MS013
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 CONN EDGECARD 80POS .100 EXTEND
- 固定式 Susumu 0201(0603 公制) INDUCTOR 1.5NH +/-0.2NH 0201
- 配件 Texas Instruments 模块 ADAPTER DEBUG/ICE MSTR 20-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC OPAMP DUAL SNGL-SUPPLY 8-DMP
- 固定式 Susumu 0201(0603 公制) INDUCTOR 3.9NH +/-0.2NH 0201
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR UNSHIELD 152UH SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 CONN EDGECARD 80POS DIP .100 SLD
- 固定式 TDK Corporation 1210(3225 公制) INDUCTOR POWER 100UH 1210