NTB75N06G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 37.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4510pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB75N06L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 37.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4370pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB75N06LG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 37.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4370pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB75N06LT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 37.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4370pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
NTB75N06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 37.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4370pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
NTB75N06T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET PWR N-CHAN 60V 75A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 37.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4510pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- 面板指示器,指示灯 APEM Components, LLC 轴向 INDICATOR 24V 16MM FLUSH RED
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANS NPN 40V 600MA SC70-3
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power DCDC CONVERTER +/-12VOUT 1W
- 电源输入 - 输入端,输出端,模块 TE Connectivity MODULE PWR ENTRY DL FUSE PNL MT
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU FLASH 512X14 EE 18SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 876 OHM 5PPM .02% 0805
- 面板指示器,指示灯 APEM Components, LLC 0805(2012 公制) INDICATOR 110V 16MM FLUSH WHITE
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANS NPN 40V 600MA SOT323
- 显示器模块 - LED 字符与数字 Stanley Electric Co 10-DIP(0.209",5.30mm) LED 7SEG DISP .30" RED CC BLACK
- 电源输入 - 模块 TE Connectivity TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MODULE PWR ENT DL FUSE FILTER 3A
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 18-DIP(0.300",7.62mm) IC MCU FLASH 1KX14 EE 18DIP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 8.87K OHM 5PPM .02% 0805
- 面板指示器,指示灯 APEM Components, LLC 0805(2012 公制) INDICATOR 110V 16MM PROM WHITE
- 显示器模块 - LED 字符与数字 Stanley Electric Co 10-DIP(0.300",7.62mm) LED 7SEG DISP .40" RED CC BLACK
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANS NPN 30V 100MA SOT323