NTB30N06G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB30N06L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 15A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB30N06LG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 15A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
NTB30N06LT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 15A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
NTB30N06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 15A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
NTB30N06T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Bourns Inc. 0805(2012 公制) INDUCTOR CHIP 2.2NH 20% SMT
- 面板指示器,指示灯 Bivar Inc 0805(2012 公制) LED RECT RED PNL MNT W/ CONN
- 逻辑 - 变换器 NXP Semiconductors 8-XFDFN TXRX TRANSLATING DUAL 3ST 8XSON
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES NON-INDUCT WW 1.0 OHM 5W 1%
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 583 OHM 5PPM .05% 0805
- 热缩管 Qualtek 0805(2012 公制) HEATSHRINK PVDF 3/32" X 4’ BLK
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 40-UFQFN 裸露焊盘 MCU 7KB FLASH PROGRAM 40-UQFN
- 固定式 Bourns Inc. 0805(2012 公制) INDUCTOR CHIP .082UH 10% SMT
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES NON-INDUCT WW 1.4 OHM 5W 1%
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 5.83K OHM 5PPM .05% 0805
- 固定式 Bourns Inc. 0805(2012 公制) INDUCTOR CHIP 18UH 5% 0805 SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 28-DIP(0.300",7.62mm) IC PIC MCU FLASH 8KX14 28SDIP
- FET - 单 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK