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当前位置:网站首页 » 库存索引121 » 型号"NSBC144EPDXV6T1"的供应信息

NSBC144EPDXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NSBC144EPDXV6T1详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)

NSBC144EPDXV6T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)

NSBC144EPDXV6T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:Digi-Reel®

NSBC144EPDXV6T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)

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