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NP90N055VUG-E1-AY 全国供应商、价格、PDF资料

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NP90N055VUG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 45A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
功率_最大：1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252
包装：Digi-Reel®

NP90N055VUG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 45A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
功率_最大：1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252
包装：带卷 (TR)

NP90N055VUG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 45A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
功率_最大：1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252
包装：剪切带 (CT)

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