NP83P06PDG-E1-AY 全国供应商、价格、PDF资料

NP83P06PDG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：83A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 41.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V

功率_最大：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：TO-263

包装：剪切带 (CT)

NP83P06PDG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：83A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 41.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V

功率_最大：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：TO-263

包装：Digi-Reel®

NP83P06PDG-E1-AY详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：83A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 41.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V

功率_最大：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：TO-263

包装：带卷 (TR)