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» 型号"NP80N04PLG-E1B-AY"的供应信息
NP80N04PLG-E1B-AY 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
NP80N04PLG-E1B-AY详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 40A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6900pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:剪切带 (CT)
NP80N04PLG-E1B-AY详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 40A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6900pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:Digi-Reel®
NP80N04PLG-E1B-AY详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 40A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6900pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:带卷 (TR)
NP80N04PLG-E1B-AY供应商
NP80N04PLG-E1B-AY
现代芯城(深圳)科技有限公司
0755-82542579
NP80N04PLG-E1B-AY
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
NP80N04PLG-E1B-AY
深圳市励芯恒智能科技有限公司
0755-23487994
NP80N04PLG-E1B-AY
深圳市春涛电子有限公司
0755-82563615
NP80N04PLG-E1B-AY
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
NP80N04PLG-E1B-AY
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
查看更多NP80N04PLG-E1B-AY的供应商
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FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
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