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NP52N055SUG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 52A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：52A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 26A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3200pF @ 25V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：带卷 (TR)

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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP VFB 200MHZ DUAL 8SOIC
HVR3700007323FR500
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