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NP50P06KDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 50A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

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NL1-SC ANTENNA
其它 Omron Electronics Inc-IA Div NE1 ANTENA
NP40N055KLE-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 40A TO-263
MY4N-CR AC220/240 (S)
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 240V
N74F5074N,602
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P51-1000-A-Y-P-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1000PSI 7/16-20-2B 1-5V
MK1575-01GI
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MX868RTR
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) IXYS 8-VFDFN IC FLUX SENSOR 12BIT DGTL 8-DFN
NL27WZ00US
逻辑 - 栅极和逆变器 ON Semiconductor 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC GATE NAND DUAL 2INPUT US8
MY4N-D2 DC12 (S)
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 12V
N74F541D,602
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
MK15-B-2
磁性 - 位置，近程，速度（模块） Standex-Meder Electronics 模制壳体 SENSOR MAGNETIC 10-15 A/T SMD
P51-1000-A-Z-MD-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1000PSI 1/4-18NPT 4-20MA
MIC39102YM
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO ADJ 1A 8SOIC

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