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NP110N055PUJ-E2B-AY 全国供应商、价格、PDF资料

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NP110N055PUJ-E2B-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：14250pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

NP110N055PUJ-E2B-AY供应商

NP110N055PUJ-E2B-AY 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
NP110N055PUJ-E2B-AY 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、

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NOJC336M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 33UF 10V 2312
MIC2182BSM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
NP100P06PLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
NOJA475M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 6.3V 1206
P1168.123NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 12UH SMD
MGA-565P8-TR1
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-DFN 裸露焊盘 IC AMP BUFFER RFIC 2GHZ 8-LPCC
HMK325B7105KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
NOJC476M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
NSBC114TF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
NOJA475M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206
HMK325B7225KN-L
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
P1168.242NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
MGA-632P8-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
NSBC114YPDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NOJD107M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 10V 2917

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