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NP100P06PDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

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钽 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 1UF 50V 20% 2312
TA-35.328MDD-T
振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 35.328 MHZ 1.8V SMD
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