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NOJC227M006RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2312; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：220µF; 电压_额定：6.3V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：400 毫欧; 电流_泄漏电流：26.4µA; 耗散因数：14%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代码：C; 高度_座高（最大）：0.110"（2.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：带卷 (TR)

NOJC227M006RWJ供应商

NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJC107M002SWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312
P1169.124NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 120UH SMD
MGA-68563-TR2G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC RF AMP LNA GAAS MMIC SOT-363
NOJP106M002RWJ
氧化铌 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP NIOB OXIDE 10UF 2.5V 0805
NSBC143EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
NP55N055SUG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
HMK432B7474KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1812
MGA-71543-TR2G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. SC-82A，SOT-343 IC AMP MMIC LNA GAAS 3V SOT-343
P1169.223NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 22UH SMD
NOJP225M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP NIOB OXIDE 2.2UF 10V 0805
MIC2199YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
NP5-MQ000
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER

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