NLW35-25详细规格
- 类别:电容器
- 描述:CAP ALUM 35UF 25V AXIAL
- 系列:NLW
- 制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 电容:35µF
- 额定电压:25V
- 容差:-10%,+75%
- 寿命0a0温度:105°C 时为 1000 小时
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 特点:通用
- 纹波电流:94mA
- ESR(等效串联电阻):7.6 欧姆
- 阻抗:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:轴向,CAN
- 尺寸/尺寸:0.340" 直径 x 0.760" L(8.64mm x 19.30mm)
- 高度_座高(最大):-
- 引线间隔:-
- 表面贴装占地面积:-
- 包装:散装
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 带状,C 形弯曲 RES .002 OHM 3W 1% FLAT SMD
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 38A DPAK
- 光纤 Richco Plastic Co 16-SMD(13 个垫片),无引线(DFN,LCC) DUPLEXER OPT FIBER BLACK
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向,CAN CAP ALUM 3UF 25V AXIAL
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 1.44A SMD
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8192X18 LP 15NS 64QFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC OPAMP GP R-R 3MHZ SGL SOT23-5
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 带状,C 形弯曲 RES .003 OHM 3W 1% FLAT SMD
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 180UH 0.38A SMD
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8192X18 LP 15NS 64QFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP GP R-R 3MHZ SGL 8DIP
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 带状,C 形弯曲 RES .015 OHM 3W 1% FLAT SMD
- 光纤 Richco Plastic Co 16-SMD(13 个垫片),无引线(DFN,LCC) DUPLEXER OPT FIBER BLACK
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK