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NJVMJD31CT4G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 375mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：1.56W; 频率_转换：3MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：剪切带 (CT)

NJVMJD31CT4G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 375mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：1.56W; 频率_转换：3MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：带卷 (TR)

NJVMJD31CT4G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 375mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：1.56W; 频率_转换：3MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：Digi-Reel®

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