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当前位置:网站首页 » 库存索引1084 » 型号"NDS9952A"的供应信息

NDS9952A 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NDS9952A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

NDS9952A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

NDS9952A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

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