NDS9952A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
NDS9952A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
NDS9952A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 TDK Corporation 2220(5650 公制) INDUCTOR POWER 680UH 100MA 2220
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 28.0 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE B VERT
- 氧化铌 AVX Corporation 2924(7361 公制) CAP NIOB OXIDE 1000UF 2.5V 2924
- 固定式 TDK Corporation 2220(5650 公制) INDUCTOR POWER 820UH 90MA 2220
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE 30 LIC UPGRAD
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE B VERT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
- 氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 68UF 6.3V 2917
- 固定式 TDK Corporation 2220(5650 公制) INDUCTOR POWER 8.2UH 750MA 2220