NDF03N60ZG 全国供应商、价格、PDF资料
NDF03N60ZG详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6OHM TO220FP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：372pF @ 25V
- 功率_最大：27W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：TO-220FP
- 包装：管件
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 100UH 10% 453232
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 17CIRC 9.50MM
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 887K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 27UH 5% 1812
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 9.50MM
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 909K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 2.7UH 5% 1812
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 4CIRC 11MM
0755-83242658 
0755-82563615 
15914072177 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755- 8255602 
0755-23613962 
755-83349415/ 
0755-/8321846 
0755-83951431 
0755-83798683 
