NDD04N60Z-1G 全国供应商、价格、PDF资料
NDD04N60Z-1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：83W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 23CIRC 9.50MM
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 120UH 5% 1812
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MB 133MHZ 54-TSOPII
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 825K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 18UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 10UH 550MA 10%
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 82.5 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 220UH 5% 1812
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 100UH 10% 453232
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 17CIRC 9.50MM
0755-82561519 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-83242658 
13510131896 
0755-82561519 
0755-82563615 
0755-23919407 
0755-82710336 
15914072177 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82569753 
