NCP5111DR2G 全国供应商、价格、PDF资料

NCP5111DR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：半桥

输入类型：非反相

延迟时间：750ns

导通电阻：

电流_峰值：250mA

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：600V

电压_电源：10 V ~ 20 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

NCP5111DR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：半桥

输入类型：非反相

延迟时间：750ns

导通电阻：

电流_峰值：250mA

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：600V

电压_电源：10 V ~ 20 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：Digi-Reel®

NCP5111DR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：半桥

输入类型：非反相

延迟时间：750ns

导通电阻：

电流_峰值：250mA

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：600V

电压_电源：10 V ~ 20 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)