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» 型号"MVE6.3VC681MH10TP"的供应信息
MVE6.3VC681MH10TP 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
MVE6.3VC681MH10TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 680UF 6.3V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:680µF
额定电压:6.3V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 2000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:340mA
ESR(等效串联电阻):1.097 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.315" 直径(8.00mm)
高度_座高(最大):0.394"(10.00mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm)
包装:带卷 (TR)
MVE6.3VC681MH10TP供应商
MVE6.3VC681MH10TP
深圳市同亨电子有限公司
【0755-2381688
MVE6.3VC681MH10TP
上海熠富电子科技有限公司
13764057178 /
MVE6.3VC681MH10TP
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
MVE6.3VC681MH10TP
北京显周科技有限公司
13910052844(微
MVE6.3VC681MH10TP
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
MVE6.3VC681MH10TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MVE6.3VC681MH10TP的供应商
MVE6.3VC471MH10TP
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 470UF 6.3V 20% SMD
HF659/50
扁平带 3M CABLE 50COND RND SHIELD GRY 275’
MX2-AB007-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 230V 1PH VALUE PACK
MCR03EZPJ685
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 6.8M OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT36KDZS1G72PZ-1G4D1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-RDIMM MODULE DDR3 SDRAM 8GB 240RDIMM
MT8VDDT3264AY-335K1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-UDIMM MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
MCR18EZHF26R1
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 26.1 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ONET4201LDRGERG4
PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
MX2-AB015-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 230V 1PH VALUE PACK
MT36KSZF1G72PZ-1G4D1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-RDIMM MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240RDIMM
MCR03EZPJ752
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 7.5K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT8VDDT6464AG-335F4
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM
ONET4211LDRGER
PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
HF659/64SF
扁平带 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 50’
MX2-AB015-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 230V 1PH VALUE PACK
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