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» 型号"MVE35VC221MJ10TP"的供应信息
MVE35VC221MJ10TP 全国供应商、价格、PDF资料
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MVE35VC221MJ10TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 220UF 35V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:220µF
额定电压:35V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 2000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:375mA
ESR(等效串联电阻):1.205 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.394" 直径(10.00mm)
高度_座高(最大):0.394"(10.00mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.406" L x 0.406" W(10.30mm x 10.30mm)
包装:带卷 (TR)
MVE35VC221MJ10TP供应商
MVE35VC221MJ10TP
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
MVE35VC221MJ10TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
MVE35VC221MJ10TP
深圳市华美锐科技有限公司
0755-83035139
MVE35VC221MJ10TP
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多MVE35VC221MJ10TP的供应商
MT4KSF12864HZ-1G1D1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 204-SODIMM MOD DDR3 SDRAM 1GB 204SODIMM
MCR25JZHF4021
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 4.02K OHM1/4W 1% 1210 SMD
MCR03EZPFX1623
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 162K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MCR10EZPF5763
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 576K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OF392J
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 3.9K OHM .5W CARB COMP
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA
MS3475W18-32PW
连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS STRAIGHT W/PINS
MCR25JZHF40R2
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 40.2 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MT4LSDT464AG-13EG6
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 168-DIMM MODULE SDRAM 32MB 168DIMM
MCR10EZPF57R6
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 57.6 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OF393JE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 39K OHM .5W CARB COMP
MS3475W18-32PW-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 32POS PIN
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA
MCR25JZHF4120
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 412 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MVH100VC47RMK14TP
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 100V 20% SMD
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