MUN5312DW1T1 全国供应商、价格、PDF资料
MUN5312DW1T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
- 旋钮 Kilo International 2-SMD,无引线 KNOB CLR GLOSS.50"DIA .125"SHAFT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 357K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 1.87K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 150 OHM 1/10W 5% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.65K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 旋钮 Kilo International 2-SMD,无引线 KNOB BLK GLOSS .50"DIA 6MM SHAFT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 18.2 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90VFBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 100 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 365K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 旋钮 Kilo International 2-SMD,无引线 KNOB BLK/MATTE.50"DIA .250"SHAFT