MUN2213JT1 全国供应商、价格、PDF资料
MUN2213JT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
MUN2213JT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC OPAMP GP R-R 7MHZ SGL SOT23-5
- 矩形- 接头,公引脚 3M CONN HEADER 26POS R/A LONG LATCH
- 网络、阵列 Vishay Dale 6-SIP RES ARRAY 220 OHM 3 RES 6-SIP
- 矩形- 接头,公引脚 3M CONN HEADER 40POS STR GOLD T/H
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 168-DIMM MODULE SDRAM 256MB 168-DIMM
- 电池,充电式(蓄电池) Sanyo Energy BATT NICAD 1.2V AA 700MAH W/TAB
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC GATE AND UHS SGL 3INP SC70-6
- 网络、阵列 Vishay Dale 6-SIP RES ARRAY 33 OHM 3 RES 6-SIP
- 矩形- 接头,公引脚 3M CONN HEADER 26POS STR NO LATCH
- 矩形- 接头,公引脚 3M CONN HEADER 40POS STR GOLD T/H
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NOR QUAD 2INPUT 14SOIC
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 168-DIMM MODULE SDRAM 512MB 168DIMM
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFF TRI-ST UHS N-INV SC705
- 网络、阵列 Vishay Dale 8-SIP RES ARRAY 100 OHM 4 RES 8-SIP