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MT9VDVF6472Y-335D4详细规格: 类别：存储器 - 模块; 描述：MODULE DDR 512MB 184-DIMM VLP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512MB; 速度：333MT/s; 特点：-; 封装/外壳：184-DIMM

MT9VDVF6472Y-335D4供应商

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MVH35VC33RMH63TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 35V 20% SMD
MSS1P5-E3/89A
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor MicroSMP DIODE SCHOTTKY 1A 50V MICROSMP
MT9VDVF6472G-40BD4
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 512MB 184-DIMM VLP
MCR10EZHF73R2
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 73.2 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MU10-10FLK
端子 - 铲形 3M 0402（1005 公制） CONN L/FORK UNINSUL 12-10AWG #10
MSSA201NGRA
Slide Switches TE Connectivity SWITCH SLIDE2POS R/A BL MSSA-01
MCR006YZPJ305
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 3.0M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MCR18EZPJ106
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 10M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MVH50VC10RMF60TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD
MU10-14R/SK
端子 - 环形 3M 0402（1005 公制） CONN RING UNINSUL 12-10AWG .250"
MCR10EZHF7500
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 750 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MCR006YZPJ332
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 3.3K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MCR18EZPJ111
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 110 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MVH50VE331ML17TR
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 50V 20% SMD
MT9VDVF6472Y-40BF4
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 512MB 184-DIMM VLP

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