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MT48V4M32LFF5-10:G详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：移动 SDRAM; 存储容量：128M（4Mx32）; 速度：100MHz; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：90-VFBGA; 供应商器件封装：90-VFBGA（8x13）; 包装：托盘

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NE3503M04-T2-A
RF FET CEL SC-82A，SOT-343 AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
HM2P88PD8110N9
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
MFR-25FRF-536R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48V4M32LFB5-8 XT:G
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
NLCV32T-R47M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
NOSC107M004R0150
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
NE3508M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NLAST4051DR2
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
MFR-25FRF-53K6
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2P88PD81K1N9LF
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NOSC157M002R0065
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 2.5V 2312
NLFC201614T-2R2M-PF
固定式 TDK Corporation 0806（2016 公制） INDUCTOR SHIELD 2.2UH 20% 0806
NLAST4051DTR2
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16TSSOP
NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343