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MT46V16M16CY-5B:M详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 256MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：256M（16Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（8x12.5）; 包装：散装

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MVE10VC471MH10TP
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MT46V16M16CY-5B:K TR
存储器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 60FBGA
SCRH6D28-180
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TAS335K050P1C
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STR730-EVAL
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SD20-330-R
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MVE16VC471MH10TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 470UF 16V 20% SMD
SCRH6D28-270
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 27UH 1.05A 10KHZ
TAS395K075P1C-F
钽 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP TANT 3.9UF 75V 10% AXIAL
SD20C-151-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELD 150UH .435A SMD
STR735FZ1H7
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 144-LFBGA MCU 32BIT 128K FLASH 144-LFBGA
MT48LC4M32B2P-7:G TR
存储器 Micron Technology Inc 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 86TSOP
MVE16VE222MM17TR
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 2200UF 16V 20% SMD