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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D详细规格: 类别：存储器; 描述：IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：闪存; 存储器类型：闪存 - NAND; 存储容量：1G（128M x 8）; 速度：-; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.95 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：63-VFBGA; 供应商器件封装：63-VFBGA（9x11）; 包装：散装

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SMCJ14A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 14V 1500W UNI 5% SMC
STSJ25NF3LL
FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC
MSP430F2481TPM
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC MCU 16BIT 48K FLASH 64-LQFP
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH NAND 1GB 48TSOP
SMBJ28CA-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AA，SMB TVS BIDIRECT 600W 28V SMB
TC164-JR-07150RL
网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 150 OHM 4 RES 1206
SUD40N08-16-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 80V TO252
SMCJ14A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1500W 14V SMC
STT-101
脉冲 Tamura 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TRANSFORMER TRIGGER 1.0MH 1:1
TC164-JR-07180KL
网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 180K OHM 4 RES 1206
SUD50N03-06AP-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SMBJ28CA-E3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS BIDIRECT 600W 28V 5% SMB
SMCJ14A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1500W 14V SMC
STT-105
脉冲 Tamura 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TRANSFORMER TRIGGER 5.0MH 1:1:1
MSP430F2491TRGCT
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU 16BIT 60K FLASH 64-QFN