MSD42SWT1G 全国供应商、价格、PDF资料

MSD42SWT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP SS NPN 300V SOT323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 2mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：带卷 (TR)

MSD42SWT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP SS NPN 300V SOT323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 2mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：Digi-Reel®

MSD42SWT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP SS NPN 300V SOT323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 2mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：剪切带 (CT)