MMDT2227M-7 全国供应商、价格、PDF资料

MMDT2227M-7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP COMP BIPOL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V，60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：300mW

频率_转换：300MHz，200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：带卷 (TR)

MMDT2227M-7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP COMP BIPOL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V，60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：300mW

频率_转换：300MHz，200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：Digi-Reel®

MMDT2227M-7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN/PNP COMP BIPOL SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V，60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：300mW

频率_转换：300MHz，200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：剪切带 (CT)