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MMDF1N05E 全国供应商、价格、PDF资料

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MMDF1N05ER2详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

MMDF1N05ER2G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

MMDF1N05ER2G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

MMDF1N05ER2G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

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