MMBT3906LP-7 全国供应商、价格、PDF资料
MMBT3906LP-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-XFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:带卷 (TR)
MMBT3906LP-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-XFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:Digi-Reel®
MMBT3906LP-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-XFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT3906LP-7B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-UFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT3906LP-7B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-UFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:Digi-Reel®
MMBT3906LP-7B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-UFDFN
- 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 95.30K OHM MTLFILM .40W 1% T
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP 40V 300MW SMD SOT23-3
- 配件 Thomas Research Products 8-DIP SMD 模块(5 引线) RAPID RESTRIKE IGNITOR FOR HPS
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC TVS 1500W 54V BIDIRECT SMC
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AA,SMB TVS ZENER BIDIRECT 600W 85V SMB
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 39.2K OHM MET FILM .40W 1%
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-18-2 金属罐 EMITTER IR 850NM TO-18
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 953K OHM METL FILM .40W 1% T
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 58V 10% SMC
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 392K OHM METAL FILM .40W 1%
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-46-2 透镜顶部金属罐 EMITTER IR 880NM CLEAR TO-46
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 85V 5% SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 97.6 OHM METL FILM .40W 1% T