MJD350T4G 全国供应商、价格、PDF资料

MJD350T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR PNP 0.5A 300V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1.56W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：Digi-Reel®

MJD350T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR PNP 0.5A 300V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1.56W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：剪切带 (CT)

MJD350T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR PNP 0.5A 300V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 50mA，10V

功率_最大：1.56W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：带卷 (TR)