MJD243详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
MJD243G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
MJD243T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：Digi-Reel®
MJD243T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
MJD243T4G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：Digi-Reel®
MJD243T4G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：4A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V
- 功率_最大：1.4W
- 频率_转换：40MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：带卷 (TR)
- 二极管，整流器 - 阵列 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604（1610 Metric），0406 RES 20K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
- 逻辑 - 变换器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC
- 二极管，整流器 - 阵列 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ULTRAFAST HI COND SOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604（1610 Metric），0406 RES 226 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） IC GATE AND QUAD 2-INP 14-SOP
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC
- 逻辑 - 变换器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- 二极管，整流器 - 阵列 Diodes/Zetex TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
0755-82561519 
0755-23613962 
755-83252273 
0755-83798683 
010-62104931、 
13410941925 
0755-83242658 
0755-83209630 
13510131896 
0755-23995152 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-23996734 
0755-23919407 
