MJD117详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
MJD117-001详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
MJD117-1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
MJD117G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
MJD117RLG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SCKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 162K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8DIP
- 二极管,整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 220V
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor 48-LQFP IC MCU 60K FLASH 3K RAM 48-LQFP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 165 OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 4POS JAM NUT W/SKT
- 二极管,整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 16SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor * IC ARM CORTEX MCU 512KB 144LQFP
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor 64-LQFP IC MCU 60K FLASH 3K RAM 64-LQFP
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 4POS JAM NUT W/SKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 1.69K OHM 1/8W .1% SMD 0805