MCR18ERTF1004 全国供应商、价格、PDF资料
MCR18ERTF1004详细规格
- 类别：芯片电阻 - 表面安装
- 描述：RES 1.00M OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列：MCR18
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444：1M
- 功率333W444：0.25W，1/4W
- 成分：厚膜
- 特性：-
- 温度系数：±100ppm/°C
- 容差：±1%
- 封装/外壳：1206（3216 公制）
- 供应商器件封装：1206（3216 公制）
- 大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）
- 高度：0.026"（0.65mm）
- 端子数：2
- 包装：剪切带 (CT)
MCR18ERTF1004详细规格
- 类别：芯片电阻 - 表面安装
- 描述：RES 1.00M OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列：MCR18
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444：1M
- 功率333W444：0.25W，1/4W
- 成分：厚膜
- 特性：-
- 温度系数：±100ppm/°C
- 容差：±1%
- 封装/外壳：1206（3216 公制）
- 供应商器件封装：1206（3216 公制）
- 大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）
- 高度：0.026"（0.65mm）
- 端子数：2
- 包装：带卷 (TR)
MCR18ERTF1004详细规格
- 类别：芯片电阻 - 表面安装
- 描述：RES 1.00M OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列：MCR18
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444：1M
- 功率333W444：0.25W，1/4W
- 成分：厚膜
- 特性：-
- 温度系数：±100ppm/°C
- 容差：±1%
- 封装/外壳：1206（3216 公制）
- 供应商器件封装：1206（3216 公制）
- 大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）
- 高度：0.026"（0.65mm）
- 端子数：2
- 包装：Digi-Reel®
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 23POS SCKT
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 100K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184DIMM VLP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 560K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 矩形 - 外壳 JAE Electronics SOT-439A CONN PIN HOUSING 4POS MX19
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
- DC DC 转换器（分解式） Vicor Corporation 模块 MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184DIMM VLP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 5.62K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- DC DC 转换器（分解式） Vicor Corporation 模块 MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER
- 按钮 Cherry SOT-439A SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
