MCH6626-TL-E 全国供应商、价格、PDF资料

MCH6626-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A，1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫欧 @ 800mA，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4V

输入电容333Ciss4440a0Vds：105pF @ 10V

功率_最大：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商设备封装：6-MCPH

包装：带卷 (TR)

MCH6626-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A，1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫欧 @ 800mA，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4V

输入电容333Ciss4440a0Vds：105pF @ 10V

功率_最大：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商设备封装：6-MCPH

包装：Digi-Reel®

MCH6626-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A，1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫欧 @ 800mA，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4V

输入电容333Ciss4440a0Vds：105pF @ 10V

功率_最大：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商设备封装：6-MCPH

包装：剪切带 (CT)