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MBR2535 全国供应商、价格、PDF资料

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MBR2535CT详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Semiconductors
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):15A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MBR2535CT详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE SCHOTTKY 30A 35V TO-220AB
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):30A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MBR2535CT详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO220AB
系列:SWITCHMODE™
制造商:ON Semiconductor
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):30A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MBR2535CT详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE ARR SCHOTTKY 35V 30A TO220
系列:-
制造商:Diodes Inc
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):30A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MBR2535CT-1详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Semiconductors
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):15A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:TO-262
包装:管件

MBR2535CT-E3/45详细规格

类别:二极管,整流器 - 阵列
描述:DIODE ARR SCHOTTKY 35V 15A TO220
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
电压_在If时为正向333Vf444(最大):820mV @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:200µA @ 35V
电流_平均整流333Io444(每个二极管):15A
电压_333Vr444(最大):35V
反向恢复时间333trr444:-
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:1 对共阴极
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

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