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» 型号"MAL211819331E3"的供应信息
MAL211819331E3 全国供应商、价格、PDF资料
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MAL211819331E3详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 330UF 100V 20% AXIAL
系列:AHT 118
制造商:Vishay BC Components
电容:330µF
额定电压:100V
容差:±20%
寿命0a0温度:125°C 时为 8000 小时
工作温度:-55°C ~ 125°C
特点:通用
纹波电流:890mA
ESR(等效串联电阻):450 毫欧
阻抗:370 毫欧
安装类型:通孔
封装/外壳:轴向,CAN
尺寸/尺寸:0.709" 直径 x 1.496" L(18.00mm x 38.00mm)
高度_座高(最大):-
引线间隔:-
表面贴装占地面积:-
包装:散装
MAL211819331E3供应商
MAL211819331E3
深圳市同亨电子有限公司
【0755-2381688
查看更多MAL211819331E3的供应商
MAX314CUE+
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
MAX34440ETL+T
PMIC - 电源控制器,监视器 Maxim Integrated 40-WFQFN 裸露焊盘 IC PS MANAGER PMBUS 6CH 40TQFN
MAL211818331E3
电容器 Vishay BC Components 轴向,CAN CAP ALUM 330UF 63V 20% AXIAL
MCP4132T-502E/SN
数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC RHEO DGTL SNGL 5K SPI 8SOIC
FDB5800
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
MCR18EZHFLR220
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES .22 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR100JZHFLR300
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES .30 OHM 1W 1% 2512 SMD
LM4040A50IDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3
MAX314ESE+
接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
FDB5800
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
MCP4141-502E/MF
数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-VDFN 裸露焊盘 IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8DFN
MCR100JZHFLR360
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES .36 OHM 1W 1% 2512 SMD
MCR18EZHFLR360
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES .36 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MAL211837101E3
电容器 Vishay BC Components 轴向,CAN CAP ALUM 100UF 40V 20% AXIAL
LM4040A50IDBZT
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT23-3
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