LGY2Z222MELC 全国供应商、价格、PDF资料
LGY2Z222MELC详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 2200UF 180V 20% SNAP
- 系列：GY
- 制造商：Nichicon
- 电容：2200µF
- 额定电压：180V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：105°C 时为 7000 小时
- 工作温度：-40°C ~ 105°C
- 特点：通用
- 纹波电流：2.9A
- ESR（等效串联电阻）：-
- 阻抗：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向，Can - 卡入式
- 尺寸/尺寸：1.378" 直径（35.00mm）
- 高度_座高（最大）：2.047"（52.00mm）
- 引线间隔：0.394"（10.00mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 1000UH .51A SMD
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Freescale Semiconductor 196-FBGA IC DSP 24BIT 200MHZ 196-BGA
- 电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 68UF 450V 20% SNAP
- 存储器 Maxim Integrated 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 16V Y5V 1210
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 12POS .125 EXTEND
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 15000UH .12A SMD
- 存储器 Maxim Integrated 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 15NS 208QFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1210（3225 公制） CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 180NH 10% 1812
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 12POS .125 SQ WW
- 嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 128-LQFP IC DSP 16BIT 120MHZ 128-LQFP
15026993318 / 
13910052844（微 
13910052844（微 
