LGY2G181MELA 全国供应商、价格、PDF资料
LGY2G181MELA详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 180UF 400V 20% SNAP
- 系列：GY
- 制造商：Nichicon
- 电容：180µF
- 额定电压：400V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：105°C 时为 7000 小时
- 工作温度：-25°C ~ 105°C
- 特点：通用
- 纹波电流：900mA
- ESR（等效串联电阻）：-
- 阻抗：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向，Can - 卡入式
- 尺寸/尺寸：0.984" 直径（25.00mm）
- 高度_座高（最大）：1.850"（47.00mm）
- 引线间隔：0.394"（10.00mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- 通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 150 OHM 3W 1% AXL
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 10% 1812
- 存储器 - 控制器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CONTROLLER NV 8-SOIC
- 电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 315V 20% SNAP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 25V 10% X7R 1206
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA
- DC DC Converters Power-One 4-SIP 模块 CONVERTER DC-DC 1W 17V SGL
- 通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 20K OHM 3W 1% AXL
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
- 存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206
- 通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 220K OHM 3W 1% AXL
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 10UH 10% 1812
- DC DC Converters Power-One 4-SIP 模块 CONVERTER DC-DC 1W 5V SGL
13910052844（微 
13910052844（微 
